Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
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Research trend of programmable metalization cell (PMC) memory device

고체 전해질 메모리 소자의 연구 동향

  • Park, Young-Sam (Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI)) ;
  • Lee, Seung-Yun (Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI)) ;
  • Yoon, Sung-Min (Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI)) ;
  • Jung, Soon-Won (Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI)) ;
  • Yu, Byoung-Gon (Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI))
  • 박영삼 (한국전자통신연구원 (ETRI)) ;
  • 이승윤 (한국전자통신연구원 (ETRI)) ;
  • 윤성민 (한국전자통신연구원 (ETRI)) ;
  • 정순원 (한국전자통신연구원 (ETRI)) ;
  • 유병곤 (한국전자통신연구원 (ETRI))
  • Published : 2008.07.30
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Abstract

Programmable metallizaton cell (PMC) memory device has been known as one of the next generation non-volatile memory devices, because it includes non-volatility, high speed and high ON/OFF resistance ratio. This paper reviews the operation principle of the device. Besides, the recent research results of professor Kozicki who firstly invented the device and investigated it for the memory applications, NEC corporation which studied it for the FPGA (field programmable gate array) switch applications, ETRI and chungnam national university which examined Te-based devices are introduced.

Programmable metalization cell (PMC) memory 소자로도 명명되는 고체 전해질 메모리 소자는 비휘발성, 고속 및 높은 ON/OFF 저항비 등을 갖고 있기 때문에, 차세대 비휘발성 메모리로서 각광받고 있는 소자 중의 하나이다. 본 논문에서는 고체 전해질 메모리 소자의 동작 원리를 먼저 소개하고자 한다. 또한, 메모리향 소자 개발을 진행 중인 미국 코지키 교수 그룹, 비메모리향 소자 개발을 진행 중인 일본 NEC 그룹 등의 해외 연구진과, Te 계열의 칼코게나이드 합금을 채택하여 소자를 제작한 한국전자통신연구원 및 충남대학교 등의 국내 연구진의 연구 성과를 소개하고자 한다.

Keywords

References

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