Processing Characteristics of Grinding & Polishing for Si Cathode Development

Si Cathode 개발을 위한 연삭 및 폴리싱 가공특성

  • 채승수 (금오공과대학교 대학원 기계설계공학과) ;
  • 이충석 (금오공과대학교 대학원 기계설계공학과) ;
  • 김택수 (금오공과대학교 대학원 기계설계공학과) ;
  • 이상민 (금오공과대학교 대학원 기계설계공학과) ;
  • 허찬 (금오공과대학교 대학원 기계설계공학과) ;
  • 이종찬 (금오공과대학교 기계공학부)
  • Received : 2010.01.28
  • Accepted : 2010.04.15
  • Published : 2010.04.30

Abstract

This paper reports some experimental result in grinding and polishing of silicon cathodes used in semiconductor manufacturing process. Cup shape diamond core wheels were used in experiments and the radial and tangential grinding forces were measured with surface roughness. In polishing experiments, flat type and donut type wool polishing tools were tested. The experimental results indicate that the grinding forces are proportional to the material removal rates and the surface roughness are inversely proportional to the spindle speed. The surface roughness of polished Si decreases with polishing time and higher spindle speed.

Keywords

References

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