Analysis of Electrical Characteristics of Silicon Solar cell according to the ARC thickness using Medici Program

메디치 프로그램을 이용한 실리콘 솔라셀의 ARC 두께에 따른 전기적 특성 해석

This paper shows electrical analysis of the silicon solar cell according to the various ARC thickness using Medici program. we built a mesh structure of the solar cell that use ARC consisting of ITO(Indium-Tin-Oxide) transparent electrode, for the Medici modeling. About various oxide layer thickness of the ARC for 30 nm, 60 nm, 90 nm, changes of the I-V curve, Isc, Voc, transmittance and external collection efficiency performed according to wavelength of Incident ray. Simulation results show maximum power 22 mW/$cm^2$, fill factor 0.83 in condition of 60 nm ITO thickness.

본 논문에서는 메디치 프로그램을 사용하여 반사방지막(ARC : anti reflectance coating) 두께에 따라 실리콘 솔라셀의 전기적 특성분석을 보여준다. ITO 투명전극으로 이루어지는 ARC를 이용한 실리콘 솔라셀의 메쉬구조를 구축하고 ARC 두께에 따른 특성해석 모델링을 실시하였다. ARC 산화층의 두께가 30 nm, 60 nm. 90 nm일 때 입사광의 파장에 따른 외부 수집 효율성, 투과율, Isc, Voc, I-V 특성 변화 등을 구하였다. 시뮬레이션 결과 60 nm의 반사방지막 두께에서 최대전력 22 mW/$cm^2$, 0.83의 곡선 인자를 보였다.