반도체 기억소자 contact hole의 선택적 충진의 최적 조건을 연구하기 위하여 무전해Ni도금방법을 채택하여 실리콘의 활성화와 선택적 도금의 공정조건이 Contact Hole 도금피막의 제반 특성에 미치는 영향을 조사하였다. p형 실리콘 100 소지 표면의 활성화 처리는 RCA처리에 의해 먼저 표면을 세척한 다음 온도, PdCl$_2$농도, 시간. 교반의 영향을 조사하였다 전처리의 최적조건은 7$0^{\circ}C$, 0.5M HF, ImM PdCl$_2$, 2mM EDTA, 90second이었다. 무전해도금은 NiS0$_4$.6$H_2O$를 DMAB를 환원제로 하여 온도, DMAB 농도, pH, 도금시간의 영향을 조사하였다. 무전해 도금 피막은 비교적 우수한 접촉저 항을 나타냈다. 1$\mu$m의 도금막을 얻는 데 본 실험조건에서 DMAB의 농도가 8mM일 때 30 분이 소요되었다. 도금막의 표면은 온도가 낮을수록 pH가 높을수록 평활하였고,특히 온도 6$0^{\circ}C$와 pH6.8에서 가장 우수하였다. 미세경도는 600Hv 정도였으며, 결정립의 크기 가 증가할수록 저항과 미세경도가 감소하였다.

The NH$_3$oxidation, which forms thermal oxide layer on silicon substrate with pure $O_2$gas added with small amounts of NH$_3$gas, has good interface sates due to activated gettering effect during oxidation. The superiority of interfae state in NH$_3$ oxidation method is not affected by preprocess but by gettering during oxidation. The dramatec reduction fo interface state is conformed with observing OSF when NH$_3$ oxide is annealed in NH$_3$ atmosphere.

고온 초전도체 $Y_{1-x}$Ho$_{x}$Ba$_2$O$_{7-y}$에서 대신 Ho를 치환시킨 시료를 제작하여 수송 임계전류밀도를 측정하였으며, 적외선 투과율과 Raman 스펙트럼 측정을 상온에서 실시하였다. 특히 Raman 측정은 수직으로 편광한 경우와 수평으로 편광한 경우를 비교하였다. 치환량의 변화에 따른 수송 임계전류밀도 값은 110-217 A/$\textrm{cm}^2$ 범위에 있었고 자기장이증가 됨에 따라 감소됨을 알수 있었다. 적외선 투과율과 Raman 스펙트럼 측정으로부터 얻은 Cu(1)-O(4) stretching mode는 초전도체의 결정 구조를 좌우하며 산소의 영향에 강한 영향을 받는다. 또한 이것은 치환양이 증가됨에 따라 감소하는 경향을 보였다. Raman 스펙트럼에서 수직 편광한 경우와 수평 편광한 경우 모두 asymmetric 한 형태를 이루었다. 특히 수평 편광한 경우는 BaCuO$_2$ phase 의 강도가 증가했다.다.했다.

Solid and liquid sintering behaviors of mechanically alloyed 75W-25Cu powders have been studied by using a dilatometry technique. The sintering was performed under hydrogen atmosphere of 1 atm with a heating rate of 3 $^{\circ}C$/min. The mechanically alloyed 75W-25Cu powders were prepared by high energy ball milling process under argon atmosphere of 1 atm with alloying times of 0 to 400 h. To compare with the sintering behaviors of mechanically alloyed powders, pure Cu and W powders were also sintered under the above conditions, As the mechanical alloying time increased from 0 to 400 h, the shrinkage behavior of the alloyed powders was enhanced during the sintering, and staring temperature of liquid sintering decreased from 1083 to 1068 $^{\circ}C$. The saturation temperature, above which the shrinkage was completed, of liquid phase sintering decreased from 1248 to 1148 $^{\circ}C$ with increasing mechanical alloying time from 200 to 400 h. The residual stress of the mechanically alloyed powder was measured by X-raydiffractometer. The microstructure of sintered spcimen was observed by optical and scanning electron microscope. From these results, variations of solid and liquid sintering behaviors with mechanical alloying time were discussed in terms of the amount of residual stress and the distribution of W and Cu powders in the mechanically alloyed powder.