Epoxy/BaTiO$_3$composite film type capacitors with excellent stability at room temperature, uniform thickness, and electrical properties over a large area were successfully fabricated. We fabricated composite capacitor films with good film formation capability and easy process ability, from ACF-resin as a matrix and two kinds of BaTiO$_3$powders as fillers to increase the dielectric constant of the composite film. The crystal structure of the powders and its effects on dielectric constant of the films were investigated by X-ray diffraction. DSC and dielectric properties tests were conducted to decide the right curing temperature and the optimum amount of the curing agent. As a result, the capacitors of $7{\mu}{\textrm}{m}$ thick film with 10nF/cm2 and low leakage current were successfully demonstrated.

Combline 구조를 가진 마이크로 스트립 라인 또는 스트립 라인 필터를 내장한 기능형 PCB를 제작하였다. 저 비용 구현 및 이동성과 휴대성을 강조하기 위해 기존의 세라믹 대신 FR4와 에폭시를 유전체로 사용하는 저가형 다층 회로 기판의 도체 층에 집적화 하였다. Combline의 각 끝단에 커패시터를 부하함으로써 전기적 길이를 확장하였고 전체적인 크기를 감소시킴으로서 적당한 필터 특성을 얻을 수 있었다. 구현된 Embedded PCB는 마이크로파 대역에서 사용 가능하며 특히 Bluetooth 나 Wireless LAN과 같은 ISM 대역을 사용하는 무선통신소자로서 사용 가능하다.

21세기의 벽두부터 국내외적으로 활발히 논의되고 있는 나노기술에 대한 정의를 생각해보는 것으로부터 우리가 나아갈 방향을 살펴보고자 한다. 나노기술이란, 원자 하나 하나 혹은 분자단위의 조작을 통해 1~100nm정도의 범위 안에서 근본적으로 새로운 물질이나 구조체를 만들어 내는 기술을 말한다. 즉 앞으로 우리는 경험해 보지 못한 새로운 현상에 대한 이해를 할 수 있어야 하고, 새로운 물질 자체를 다룰 수 있는 방법이 우리가 해야 할 구체적인 일이 될 것이란 말이 된다. 뿐만 아니라 나노기술은 종래의 정보.통신.전자 분야에서 주로 추구하던 마이크로화와 달리 재료, 기계, 전자, 의학, 약학, 에너지, 환경, 화학, 생물학, 농학, 정보, 보안기술 등 과학기술 분야 전반을 위시하여 사회분야가지 새로운 인식과 철학적인 이해가 필요하게 되었다. 21세기를 맞은 인류가 나아갈 방향을 나노세계에 대한 도전으로 보아야 하며, 과학기술의 새로운 틀을 제공할 것 임에 틀림 없다. 그러나, 이와 같은 나노기술의 출발점을 살펴보면 VLSI기술로 통칭할 수 있는 마이크로전자소자 기술이란 점이다. 국내의 VLSI기술은 메모리기술이라고 해도 과언이 아닐 것이다. 문제는 종래의 메모리기술은 대규모 투자와 집중적인 인력양성을 통해서 세계 최고 수준에 도달 할 수 있었다. 그러나 여기까지 오는 동안 사식 우리는 선진국의 뒷꽁무니를 혼신의 힘을 다해 뒤쫓아 온 결과라고 보아도 틀리지 않는다. 즉, 앞선자를 보고 뒤쫓는 사람은 갈방향과 목표가 분명하므로 최선을 다하면 따라 잡을 수 있다. 그런데 나노기술은 앞선 사람이 없다는 점이 큰 차이이다 따라서 뒷껑무니를 쫓아가는 습성을 가지고는 개척해 나갈 수 없다는 점을 깨닫지 않으면 안된다. 그런 점에서 이 시간 나노기술의 국내외 현황을 살펴보고 우리가 어떻게 할 것인가를 생각해 보는데 의미가 있을 것이다.하여 분석한 결과 기존의 제한된 RICH-DP는 실시간 서비스에 대한 처리율이 낮아지며 서비스 시간이 보장되지 못했다. 따라서 실시간 서비스에 대한 새로운 제안된 기법을 제안하고 성능 평가한 결과 기존의 RICH-DP보다 성능이 향상됨을 확인 할 수 있었다.(actual world)에서 가상 관성 세계(possible inertia would)로 변화시켜서, 완수동사의 종결점(ending point)을 현실세계에서 가상의 미래 세계로 움직이는 역할을 한다. 결과적으로, IMP는 완수동사의 닫힌 완료 관점을 현실세계에서는 열린 미완료 관점으로 변환시키되, 가상 관성 세계에서는 그대로 닫힌 관점으로 유지 시키는 효과를 가진다. 한국어와 영어의 관점 변환 구문의 차이는 각 언어의 지속부사구의 어휘 목록의 전제(presupposition)의 차이로 설명된다. 본 논문은 영어의 지속부사구는 논항의 하위간격This paper will describe the application based on this approach developed by the authors in the FLEX EXPRIT IV n$^{\circ}$EP29158 in the Work-package "Knowledge Extraction & Data mining"where the information captured from digital newspapers is extracted and reused in tourist information context.terpolation performance of CNN was relatively better than NN.콩과 자연 콩이 성분 분석에서 차이를 나타내지 않았다는 점, 네 번째. 쥐를 통한 다양섭취 실험에서 아무런 이상 반응이 없었다는 점등의 결과를 기준으로 알레르기에 대한 개별 검사 없이 안전한

폴리머 박막은 반도체 패키징, MEMS 구조물은 물론 MCM-D 등의 기술에도 널리 쓰이고 있다. 또한 대부분 폴리머/금속의 다층구조의 형태를 띠고 있어 이 상태의 기계적 특성의 이해는 더욱 중요하다. 본 연구에서는 폴리머 박막의 기계적 특성을 측정하기 위한 새로운 방법이 제안된다. 제안된 방법은 최근 발달된 마이크로머시닝기술을 사용하여 구현된 공진형 스트링구조를 이용하게된다. 폴리머 기계적 특성치와 스트링의 공진특성은 서로 상관 관계를 갖게되며 이러한 공진특성의 측정은 기계적 특성의 실시간 관찰을 가능하게 해준다. 본 논문에서는 공진형 스트링을 이용하여 폴리이미드의 잔류음력과 폴리이미드/금속간의 접착 내구성을 정량화하는 방법을 제안한다. 제안된 측정방법은 단순히 스트링구조 뿐만 아니라 다른 기계적 구조에도 응용이 가능하다.

This paper presents several UBM (Under Bump Metallurgy) systems which are currently used for wafer level solder bumping technology. The advantages and disadvantages of each UBM are summarized from the point of view of process compatability and interface morphological stability.

RF MEMS is an exciting emerging technology that has great potential to develop TOC (Transceiver-on-Chip). Applications of the RF MEMS to wireless communications systems are presented. The ability of the RF MEMS technology to enhance the performance and to reduce the size of passive components, in particular, switches, inductors, and tunable capacitors, is addressed. A number of potential wireless system opportunities for the TOC are awaiting the maturation of the RF MEMS technology.

In this research, the design parameters of embedded capacitors are extracted by modeling and fabrication. The traditional library of capactor has a few problems in applying the circuit. Its capacitance is discrete, so target values in any circuit often can't be obtained in library, To solve this problem, the characteristics of capacitors are detected in the variation with the shape and structure, and then the capacitors with the expected reactance value at target frequency are obtained, In this procedure, 3-dimensional structure simulation is performed to predict the characteiristics of capacitors.

To investigate the relationships of solder joint characteristics with solder composition and A:V ratio (solder volume per pad area), Sn-37Pb and Sn-4.0Ag-0.5Cu solder balls with 330, 400, 450 and $457{\mu}{\textrm}{m}$ size were reflowed on same substrate. Sn-37Pb and Sn-4.0Ag-0.5Cu was reflowed at $220^{\circ}C$ and $240^{\circ}C$ respectively by IR-type soldering machine. As a result of reflowed solder- ball diameter(D) and height(H) measurement, D/H was decreased with solder ball size increment in range of 330~450 ${\mu}{\textrm}{m}$. But, D/H was increased in the solder joint for 457 ${\mu}{\textrm}{m}$ size, it was caused possibly by decrement of solder ball height increment compared with solder volume increment. As a result of shear and pull test, joint strength with A:V ratio was high. Joint strength of Sn-4.0Ag-0.5Cu was higher than Sn-37Pb. However, Sn-37Pb had more stable solder joint of small standard deviation. A thick and clean scallop type Ni-Cu-Sn intermetallic compound layer was formed in high A:V ratio and Sn-4.0Ag-0.5Cu solder joint interface.

Three different kinds of substrate used in this study : bare Cu substrate, Ni-P/Cu substrate with a Ni-P layer thickness of $5\mu\textrm{m},$ and Au/Ni-P/Cu substrate with the Ni-P and Au layers of $0.15\mu\textrm{m}$ and $5\mu\textrm{m}$ thickness respectively. The wettability of various Sn-base solders was affected by the substrate metal finish used, i.e., nickel, gold and copper. On the Au/Ni-F/Cu substrate, Sn-base solders wet better than any of the other substrate metal finishes tested. The interfacial reaction between various substrate and Sn-base solder was investigated at $70^{\circ}C,$ $100^{\circ}C,$ $120^{\circ}C,$ $150^{\circ}C,$ $170^{\circ}C$ and $200^{\circ}C$ for reaction times ranging from 0 day to 60 day. Intermetallic phases was formed along a Sn-base solder/ various substrate interface during solid-state aging. The apparent activation energy for growth of Sn-Ag/Cu, Sn-Ag-Bi/Cu, and Sn-Bi/Cu couples were 65.4, 88.6, and 127.9 Kj/mol, respectively. After isothermal aging, the fracture surface shoved various characteristics depending on aging temperature and time, and the types of BGA pad.

Pb-free wave soldering process of AC Adapter was implemented by six sigma method using Sn-Cu-Ni type solder. The solder joint appearance, microstructural change, a lift-off phenomenon and reliability were evaluated through thermal shock teal. $(Cu,Ni)_6Sn_5$-type intermetallic compound of which thickness is about 5 micron was found at solder joint between Sn-Cu-Ni solder and copper land. After applying the thermal shock test of as-soldered product up to 750 cycles, no crack was found at the solder joint and the newly developed product was superior to conventions; one in terms of productivity and reliability.

Optical transmitter and receiver are the essential components for optical communication. For these components, butterfly type packages are used which are comprised of metal housing, multilayer ceramic inserts, lead and window. In this study, 2.5 Gbps DFB(Distributed -Feedback) LD(Laser Diode) package was fabricated and characterized. Metal housing showed good thermal conductivity (200W/mK) and well matched TCE(6.7ppm/K) with GaAs chip. Ceramic inserts also showed good VSWR(Voltage Standing Wave Ratio) characteristics(<2.0). By brazing technology, all the elements were combined and sealed. RF characteristics of the package mounted on the PWB was also tested.

In this paper, a new structure and fabrication method for the wafer level package(WLP) is presented. A packaged VLSI chip is encapsulated by a parylene(which is a low k material) layer as a dielectric layer and is molded by SUB photo-epoxy with dielectric constant of 3.0 at 100 MHz. The electrical parameters (R, L, C) of package traces are extracted by using the Maxwell 3-D simulator. Based on HSPICE simulation results, the proposed wafer level package can operate for frequencies up to 20GHz.

We apply for the first time a low cost and loss wafer level packaging technology for RF-MEMS device. The proposed structure was simulated by finite element method (FEM) tool (HFSS of Ansoft). S-parameter measured of the package shows the return loss (S11) of 20dB and the insertion loss (S21) of 0.05dB.

In this paper, hermetic sealing was studied fur wafer level packaging of the MEMS devices. With the flip-chip bonding method, this B-stage epoxy sealing will be profit to MEMS device sealing and further more RF-MEMS device sealing. B-stage epoxy can be cured 2-step and hermetic sealing can be obtained. After defining $500{\mu}{\textrm}{m}$-width seal-lines on the glass cap substrate by screen printing, it was pre-baked at $90^{\circ}C$ for about 30 minutes. It was then aligned and bonded with device substrate followed by post-baked at $175^{\circ}C$ for about 30 minutes. By using this 2-step baking characteristic, the width and the height of the seal-line were maintained during the sealing process. The height of the seal-line was controlled within $\pm0.6${\mu}{\textrm}{m}$ and the strength was measured to about 20MPa by pull test. The leak rate of the epoxy was about $10^7$ cc/sec from the leak test.

The cure kinetics of a cycloalipatic epoxy / anhydride / Co(II) system for a no-flow underfill encapsulant, has been studied by using a differential scanning calorimetry(DSC) under isothermal and dynamic conditions over the temperature range of $160^{\circ}C ~220^{\circ}C$. The kinetic analysis was carried out by fitting dynamic/isothermal heating experimental data to the kinetic expressions to determine the reaction parameters, such as order of reaction and reaction constants. Diffusion-controlled reaction has been observed as the cure conversion increases and successfully analyzed by incorporating the diffusion control term into the rate equation. The prediction of reaction rates by the model equation corresponded well to experimental data at all temperature.

Fluxless flip chip bonding using plasma & ultrasonic wave was investigated in order to evaluate the effect of plasma & ultrasonic treatment on the bondability of the Sn-3.5wt%Ag solder bumped die to TSM-coated glass substrate. The $Ar+10%H_2plasma$ was effective in removing tin oxide on solder surface. The die shear strength of the plasma-treated Si-chip is higher than that of non-treated specimen but lower than that of specimen bonded with flux. The die shear strength with the bonding load at 25W ultrasonic power increased to 0.8N/bump for all bonding temperature but decreased above 1.0N/bump.

Sn-3.5Ag 무연 솔더에 Cu를 첨가한 3원계 합금을 만든 후 압연과 열처리한 후 크리프 특성을 연구하였다. 모든 솔더 합금에서 1차 크리프는 거의 관찰되지 않았으며, 2차와 3차 크리프가 대부분을 차지하였고, 최소 크리프 변형율은 Cu 함량이 0.75 wt %에서 최소이었고, 응력 지수는 약 4이었으며, 파단 시간 또한 0.75 wt% Cu에서 가장 길었다. 크리프 기구는 격자 확산에 의한 전위의 상승과 전위 활주에 의한 고온 크리프임을 앞 수 있었으며, Cu의 첨가는 1 wt% 가지 연성에 큰 영향을 주지 않았으나, 1.5 wt% 첨가했을 경우 연성은 크게 감소하였다.

Microwave model and high-frequency measurement of the ACF flip-chip interconnection was investigated using a microwave network analysis. S-parameters of on-chip and substrate were separately measured in the frequency range of 200 MHz to 20 GHz using a microwave network analyzer HP8510 and cascade probe. And the cascade transmission matrix conversion was performed. The same measurements and conversion techniques were conducted on the assembled test chip and substrate at the same frequency range. Then impedance values in ACF flip-chip interconnection were extracted from cascade transmission matrix. ACF flip chip interconnection has only below 0.1nH, and very stable up to 13 GHz. Over the 13 GHz, there was significant loss because of epoxy capacitance of ACF. However, the addition of SiO$_2$filler to the ACF lowered the dielectric constant of the ACF materials resulting in an increase of resonance frequency up to 15 GHz. High frequency behavior of metal Au stud bumps was investigated. The resonance frequency of the metal stud bump interconnects is higher than that of ACF flip-chip interconnects and is not observed at the microwave frequency band. The extracted model parameters of adhesive flip chip interconnects were analyzed with the considerations of the characteristics of material and the design guideline of ACA flip chip for high frequency applications was provided.

본 연구는 레이저 처리기술에 의한 Li$_2$O-A1$_2$O$_3$-SiO$_2$계 유리의 미세가공과 레이저에 의한 유리의 광활성반응에 관한 것으로서, 1064nm와 355nm의 파장을 갖는 Nd:YAG laser를 유리에 조사하여 유리의 파괴특성 및 광학적변화를 관찰하였다. 1064nm 레이저에 의한 유리의 파괴 부분은 광학현미경과 주사전자현미경(SEM)으로서 파괴특성을 평가하였으며, 355nm 레이저에 의한 유리의 변화는 흡수대역을 측정함으로 그 광학적 특성을 나타내었다. 이와 같은 레이저에 의한 가공은 유리내부의 3차원적인 미세구조물 형성이나, internal waveguide, 또는 광 흡수대역의 변화에 따른 광기록방법으로 응용될 것으로 예상된다.

AIC$_3$:$^{t}$ BuNH$_2$단일 전구체를 이용하여 MOCVD방법에 의해 상압하에서 1$\mu\textrm{m}$의 두께로 증착하였다. 증착된 AIN 박막을 XRD, SEM, RBS 그리고 AES로 분석했으며 IDT전극을 형성하기 위해 1500＋ 의 두께로 증착했다. 중심주파수 1.5GHz를 갖고 입출력 개수가 각각 500개이며 IDT선폭이 l$\mu\textrm{m}$인 전송형의 SAW filter를 제작하고자 하였다.

The adhesion enhancement from inserting a RF bias-sputtered Cr layer between Cu and polyimide (PI) has been studied. The RF bias power applied in this study was ranged from 0 to 400 W. Without the RF bias, the peel strength, which measures the adhesion strength, was nearly o g/mm. As the RF power was increased, the peel strength rose up to ~130 g/mm at 200 W, which remained constant with further increase of the RF bias power. Cross-sectional transmission electron microscopy(TEM) was used to investigate the interfacial reaction between the Cr film and PI substrate during the bias sputtering. The Cr/PI interface without the application of RF dais showed a clean, sharp interface while the RF raised Cr/PI interface had about 10~30 nm thick atomistically mixed interlayer between the metal film and PI substrate. This interlayer appeared to have resulted from the implantation of high energy adatoms during the RF bias sputtering of Cr film. This mixed layer serves as an interlocking layer, which enhances adhesion between the metal and PI layers.

비저항이 500$\Omega$-cm, 두께가 250~300$\mu\textrm{m}$인 p(100) Si 웨이퍼를 이용하여 배면전극을 갖는 새로운 Si pin 태양전지를 설계.제작하였다. dark상태와 60W/$cm^2$의 자연광에서 제작된 전지의 전기.광학적 특성을 측정한 결과, 전지의 직렬저항과 포화전류는 각각 20$\Omega$과 1.6$\mu$A로, 개방전압과 단락전류는 0.45 V와 10.3 mA로, 충실도는 0.44로 나타났다. 제안된 구조에서 전지의 두께를 최적화할 경우, 보다 높은 효율 특성이 기대된다.

본 연구는 알루미늄 기판 위에 징케이트 처리 시 생성되는 아연 입자들의 성장거동에 관하여 연구하였다. 알루미늄 기판 상에서 아연입자들은 기판 표면의 요철 꼭지점이나 모서리에서 먼저 생성되었고, (0001)면들이 적층되어 성장하였다. 또한 온도를 증가에 따른 성장속도를 증가시켜 징케이트 처리를 실시하였을 때 육방정계을 갖는 아연 입자의 경우 <1100> 결정방향으로 성장이 이루어져 불가사리 형태의 입자형태를 나타내었으며 초음파 교반에 의한 징케이트 처리를 하였을 경우 조밀하고 균일한 아연 막을 형성하였다.

PDP(Plasma Display Panel)의 투명 유전체에 적용 가능한 저융점 유리 중에서 납성분이 포함 되어 있지 않는 Bi계 유리의 연구를 행하였다. 기판과의 일체화를 위한 유리의 응용으로, 소자와의 반응 억제와 열응력 완화를 위해 유리의 저융점화 및 열팽창 계수를 제어하였다. 본 연구에서 제조된 Bi계 유리는 DTA와 TMA의 열분석을 통해 50$0^{\circ}C$부근에서 연화점이 있고, 7.31~10.02$\times$$10^{-6}$$^{\circ}C$, 비유전을 11.1~13.3, 광투과도가 80%이상으로 PDP 투명유전체에 적용 가능한 Bi계 유리를 얻을 수 있었다.

본 논문은 고휘도 직하방식의 Backlight Unit을 광학 Simulation을 이용하여 설계 및 제작하였다. 직하방식의 Backlight는 휘도 균일도에 많은 문제점을 보이고 있으나 본 논문에서는 18"Backlight를 휘도 균일도 90%의 고휘도, 높은 휘도균일도의 Backlight Unit을 설계하였다. 특히 본 논문에서는 12개의 램프를 한 개의 인버터로 구동함으로써, Backlight Unit의 광 효율 향상과 제작 단가의 저하를 동시에 얻을 수 있다.

The high efficiency and high power inverter for driving LCD backlight was designed and fabricated. The operating frequency was variable and dimming capability was also included. High dimming ratio could be achieved by PWM dimming. The optimum driving condition for LCD backlight could be obtained by using the excited type inverter.

본 연구에서는 소결온도와 치환원소에 따른 서클레이터/아이솔레이터용 YIG 페라이트의 미세구조와 전자기적 특성을 고찰하고자 하였다. Ca, V, In을 치환시킨 YIG 페라이트를 분무건조기를 사용하여 준구형 과립상태로 만들고, 일반적인 세라믹 제조 공정에 따라 12$50^{\circ}C$, 1275$^{\circ}C$, 130$0^{\circ}C$, 13$25^{\circ}C$에서 각각 소결하였다. 제조된 YIG 페라이트에 대한 기본 물성과 자기 특성을 밀도측정기, XRD, SEM, VSM, FMR(Ferromagnetic Resonance) 등을 이용하여 측정 분석하였다. $Y_{1.6}$C $a_{1.4}$F $e_4$ $V_{0.7}$I $n_{0.3}$ $O_{12}$ 조성의 YIG 페라이트에 대한 전자기적 특성 측정 결과 130$0^{\circ}C$에서 소결한 YIG 페라이트가 높은 포화자화(4$\pi$Ms) 값과 낮은 자기공명반치폭($\Delta$H)을 지닌 우수한 전자기적 특성을 나타내었다. 전자기적 특성을 나타내었다.나타내었다.다.

DRAM과 Logic을 하나의 칩 위에 제조하기 위한 EDL (Embedded DRAM and Logic) 기술에 코발트 실리사이드가 접촉저항을 낮추기 위해 사용된다. 본 연구에서는 코발트 실리사이드 제조에 사용되는 보호막이 CMOS 소자의 전기적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. EDL 제조공정이 완전히 진행된 소자에 적용된 실리사이드가 누설전류에 미치는 영향을 비교하였다. 또한 실리사이드 보호막이 전기적 신호의 delay에 미치는 영향을 평가하기 위해, 99개의 CMOS 인버터가 직렬연결되어 있는 평가패턴을 사용하였다. 이상의 결과로 TiN 보호막이 pMOSFET의 전류전달 능력과 그 결과로 생기는 속도지연 측면에서 Ti 보호막보다 우수함을 알 수 있었다.

극자외선영역의 빛에대한 Mo/Si 반사형 다층 박막 미러를 스퍼터링 시스템으로 증착하여, 특성을 평가한 결과 3mTorr의 낮은 공정 압력에서 최적의 구조인자를 가진 다층 박막을 증착할 수 있었다. TEM, low angle XRD peak, 반사도 그래프로부터 다층 박막의 구조인자를 분석하였으며, 특히 low angle XRD peak로부터 다층박막의 d-spacing, 층간 두께 uniformity에 대한 정보 및 광학적 정보를 간접적으로 분석할 수 있었다. 최대 반사도는 12.7nm 파장에서 약 53%였으며, low angle XRD에서 추출한 d-spacing 값이 TEM 이미지에서 측정한 값보다 더 정확한 값을 얻을 수 있었다.

Poly-Si/SiO$_2$/Si의 하부기판구조 위에 Co금속을 E-beam evaporation 방식으로 증착하고 급속 열처리 방식을 통해 inkjet 프린터헤드의 heater로 사용 할 수 있는 코발트실리사이드를 형성하였다. RTA로 열처리 온도와 시간을 변수로하여 코발트실리사이드의 가장 안정적 결정상 및 성분분포를 찾고 이렇게 제작된 박막의 면저항과 표면특성을 통해 고온에서 사용 할 수 있는지를 연구하였다. 박막을 발열체(400~$600^{\circ}C$)로 사용하기 위해서는 발열체가 외부배선과의 접촉 저항보다 커야하고 저항이 고온에서 크게 변하면 안 된다. 코발트 실리사이드는 80$0^{\circ}C$ 20sec에서 발열체로 사용하기에 적당한 특성을 보였다. 그러나 실리사이드반응이 RTA에서 40$0^{\circ}C$ 20sec에서 형성되기 시작하지만 열처리 온도를 높일수록 박막의 면저항과 상변화가 일어남으로 발열체로 사용 할 수 없고, 90$0^{\circ}C$ 20sec 이상에서는 표면의 거칠어짐으로 인해 면저항이 증가하는 현상을 보여 역시 발열체로 사용 할 수 없음을 알 수 있었다.

Optical disk drives read information by replacing a laser beam on the disk track. As information has become larger, the more accurate position control of a laser beam is necessary. In this paper, we report the analysis and fabrication of the micro mirror for optical disk drivers. The mirror was fabricated by using MEMS technology and it's characteristics investigated. Also, electrode structure for reducing squeeze effect was discussed.

현재 초소형 정밀기계(MEMS;Microelectromechanical System) 소자의 가장 큰 문제점으로 대두되고 있는 점착현상을 방지하기 위하여 불화유기박막을 증착하였다. Octafluorocyclobutane(C$_4$F$_{8}$)을 소스가스를 PECVD (Plasma Enhanced CVD)와 ICP (Inductively Coupled Plasma)를 이용하여 증착하였다. 여기에 Ar을 첨가하여 플라즈마의 반응성을 높여주었다. 형성된 불화유기박막의 나노트라이볼러지 특성을 살펴보기 위하여 AFM을 통하여 증착시킨 시편의 topography를 살펴보았다. 그리고 박막의 antiadhesion의 정도를 살펴보기 위하여 cantilever와 박막의 표면 사이에 존재하는 interaction force를 측정 하였고 AFM의 force curve mode를 이용하였다 PECVB를 이용하여 증착된 박막은 ICP를 이용한 박막보다 균일하지 못한 박막을 보였으며 attractive force가 강한 것으로 사료된다.

본 연구에서는 Alumina(A1$_2$O$_3$) based Slurry를 이용하여 CU CMP를 할 때 첨가제의 영향을 Removal rate와 Etch rate 측면에서 조사하였다. 각각의 첨가제의 종류와 조성의 변화에 따라 Polishing에 미치는 영향을 연구하였다. Cu의 Removal rate는 Etch rate와 달리 Organic acid의 종류에 직접적으로 영향을 받는다. Citric acid는 높은 Removal rate와 슬러리 내에서 안정성이 가장 좋은 결과를 보이고 있다. Citric acid의 농도가 증가하면 증가할수록 Removal rate는 증가하였다. BTA의 농도에 따라서 Cu의 Removal rate와 Etch rate의 감소를 확인할 수 있다. EDTA의 농도에 따라서는 증가함을 볼 수 있다.

In recent years, as Chemical Mechanical Planarization(CMP) has been routinely utilized in integrated circuit(IC) fabrication, the consumption of slurry, main consumable in a CMP process, is greatly increased. Thus the reprocess of CMP slurries has been actively considered in the industry to reduce cost-of-consumable (COC). The main purpose of this study was to recycle the used oxide slurry using filters as a new method. As a result, Ultra Fine(UF) Filter could distinguish silica from the used oxide slurry and Reverse Osmosis(RO) Filter could distinguish Deionized(DI) Water and chemistry from chemistry solution. The tetraethylorthosilicate removal rate was almost the same as the number of recycle polishing was increased, when it was modified by slightly adding new SS-12 slurry. The microscratch didnt found as the number of recycle polishing was increased.