절연층상에 인을 주입시킨 실리콘 박막의 RTA 방법에 의한 재결정화

Recrystallization of Phosphorus Ion Implanted Silicon on Insulator(SOI) by RTA Method

  • 김춘근 (한국과학기술원, 반도체재료 연구실) ;
  • 김현수 (한국과학기술원, 반도체재료 연구실) ;
  • 김용태 (한국과학기술원, 반도체재료 연구실) ;
  • 민석기 (한국과학기술원, 반도체재료 연구실)
  • 발행 : 1987.07.03

초록

We have studied 1iquid phase regrowth of phosphorus ion implanted silicon films on insulator (SOI) by rapid thermal annealing (RTA) method. Many twin boundaries were observed on the regrown silicon layer and mobility of the layer was increased from $14\;cm^2/v.sec$ to $38\;cm^2/v.sec$ after annealing at $1150^{\circ}C$ for 15 sec.

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