Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Analysis on the Characteristics of NVM Device using ELA on Glass Substrate

ELA 기판을 사용한 NVM 소자의 전기적 특성 분석

  • Oh, Chang-Gun (School of information and communication engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Lee, Jeoung-In (School of information and communication engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Yi, J. (School of information and communication engineering, Sungkyunkwan University)
  • 오창건 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 이정인 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 이준신 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2007.11.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

ONO(Oxide-Nitride-Oxide)구조는 기억소자의 전하보유 능력을 향상시키기 위해 도입된 게이트 절연막이다. 본 연구에서는 ELA(Excimer Laser Annealing)방법으로 비정질 실리콘을 결정화 시켜서 그 위에 NVM(Nonvolatile Memory)소자를 만들어 전기적 특성을 측정하여 결과를 나타내었다. 실험 결과 같은 크기의 $V_D$에서 $V_G$를 조절함으로써 $I_D$의 크기를 조절할 수 있었다. $V_G-I_D$ Graph에서는 $I_{on}$과 $I_{off}$, 그리고 Threshold Voltage를 알 수 있었다. $I_{on}/I_{off}$ Ratio는 $10^3-10^4$이다. $V_G-I_D$ Graph에서는 게이트에 인가하는 Bias의 양을 통해서 Threshold Voltage의 크기를 조절할 수 있었다. 이는 Trap되는 Charge의 양을 임의로 조절할 수 있다는 것을 의미하며, 이러한 Programming과 Erasing의 특성을 이용하여 기억소자로서의 역할을 수행하게 된다.

Keywords