NiO, ZnO 조성이 다른 Ni-Cu-Zn 페라이트의 손실 분석을 실시했다. 손실, Ph는 측정 온도의 상승에 따라 감소 해 $100-120^{\circ}C$ 근처에서 일정한 값을 얻었다. Pcv 의 주파수의존성은 $Pcv\~f^n$ 로 표현될 수 있는데, n는 1 MHz 까지 일정했다. Pcv 는 ZnO/NiO 비가 증가함에 따라 감소한다. Pcv 를 Hysteresis loss, Ph 및 잔류손실, (Pcv-Ph)로 분리했다. Pcv 의 온도특성 및 조성 의존성은 Ph에 기인하지만, (Pcv-Ph)는 온도 및 조성에 의존하지 않는다 Ph 와 초투자률, ${\mu}$i의 온도 및 조성 의존성을 분석 해, 다음과 같은 식이 성립된다는 것을 알 수 있었다. $${\mu}\;_i{\mu}\;_o=I_s\;^2/(K_1+b{\sigma}\;_o{\lambda}\;_s)\;\;\;\;(1)$$ $$Wh=13.5(I_s\;^2/{\mu}\;i{\mu}\;0)\;\;\;\;(2)$$ 여기서, ${\mu}\;_o$ 은 진공의 투자율, $I_s$, 는 포화자화, $K_1$는 이방성상수, ${\sigma}_\;o$는 내부 불균일 응력, ${\lambda}_\;s$ 는 자기이방성 상수,b는 미지의 정수, Wh는 1 주기 당의 히스테리시스 손실(Ph=Wh*f)이다. Ni-Cu-Zn 페라이트의 Steinmetz 정수 m=1.64-2.2는 Mn-Zn 페라이트보다는 적은데, 이는 양 재료간의 손실 메커니즘의 차가 있음을 암시하는 것이다.

최근 트랜스 및 코일에 쓰이는 소프트 페라이트 코아는 많은 전자$\cdot$통신소자에 응용이 되고 있다. 특히, 전기적 특성 면에서 다른 금속 재료에 비하여 극히 높은 비저항을 갖으며, 주파수 영역 역시 수백 MHz를 넘는 곳에 사용이 된다. 현재 사용되는 용도는 TV 및 퍼스널컴퓨터의 디스플레이에 사용되는 편향요크용, 후라이백, 트랜스용 코아 등에 사용되며 소형 경량화가 요구되고 있다. 따라서 편향 요크용 페라이트 코아에는 고주파수 영역에 있어서 낮은 코아로스 재료가 요구되고 있는 실정이다. 본 연구에서는 Mg-Zn 페라이트에 있어서 화학조성 및 프로세스가 미세구조에 미치는 영향에 대한 구체적인 연구를 검토하였다.

산화철의 국제동향에 대하여 각 지역 간의 수출입동향과 최근에 급속하게 성장하고 있는 중국의 산화철업계 동향에 대하여 소개하였다. 특히 세게 산화철 교역량은 산화철업계의 기술발전과 각 국이 처한 환경에 따라 변화하며, 산화철의 주요용도중 하나인 안료용도의 경우 건축경기에 큰 영향을 받는다. 중국의 산화철업계는 전반적으로 크게 성장한 반면 다국적 기업의 진출에 따른 기술력 향상과 반대급부로 경쟁력 약한 중국내 기업정리 등이 수반되었다. 산화철산업의 발전을 위하여는 타 소재와의 가격경쟁력도 중요하지만 새로운 응용분야의 개척이 필요하다 본 기술자료에서는 최근에 관심이 집중되는 산화철 나노분말에 대하여 신용도 및 특성에 대하여 소개하였다.

스트론튬 페라이트에 La-Co원소 치환량에 따른 미세구조효과와 자기특성변화를 연구하였다 La-Co치환된 스트론튬 페라이트는 La원소 치환량(x)은 Fe와 Sr의 몰비(n)과 Co원소치환량(y)와 x=2ny의 관계식을 갖으며, 하소분말의 보자력(HcJ) 값은 Fe와 Sr의 몰비 n=6.0에서 치환량 x=0.3일때 270kA/m 및 x=0.2일때 240kA/m의 값을 나타내었다 La-Co원소가 치환된 스트론튬 페라이트 소결자석의 미세구조는 판상형으로 성장하고, 몰비가 높을수록 결정의 크기는 감소하였다 이는 하소 후 형성된 초기 결정상태에 의하여 결정된 것으로 판단된다 La-Co치환 스트론들 페라이트의 소결자석의 자기특성은 몰비 n=6.0에서 치환량 x=0.3의 조건으로 제조한 경우 잔류자속밀도(Br) 415 mT와 보자력(HcJ) 355 kA/m의 특성이 얻어졌으며, 몰비 n=6.0에서 치환량 x=0.2의 조건으로 제조한 경우 잔류자속밀도(Br) 410 mT와 보자력(HcJ)은 370 kA/m의 특성이 얻어졌다. 또한 자기특성곡선의 각 형성은 치환량 x=0.2일때 더욱 향상되었다.

전 세계의 IT시장 경기침체에도 불구하고 연 $25\%$라는 성장을 보이고 있는 나라 중국은 경제개방 이후 꾸준한 경제성장을 이룩한 이래 2002년 취임한 후진타오 주석의 경제 방침에 따라 IT분야는 급속도로 발전하고 있다. 이러한 발전은 중국의 세계에서의 역량을 과시하는데는 부족함이 없지만, 중국 내에서는 적지 않은 부작용이 있는 것도 사실이다. 그 중에서도 동$\cdot$서간의 발전 불균형이 중국의 전체적인 발전에 큰 걸림돌이 되고 있고, 중국정부는 그 해결책으로 서부 대 개발을 내세워 그 격차를 줄여보고자 노력하고 있다. 서부 대 개발을 추진하는 과정에서, 2000년부터 내수시장 진출을 제한하던 관련법을 폐지함으로써 이제 우리나라도 다른 선진국들과 동일한 출발선상에서 중국의 서부지역에 진출할 기회를 확보하였다. 이와 같은 현실을 바탕에 두고 중국의 전체적인 IT산업현황 및 정책을 이해하고 서부지역의 상황을 알아봄으로써 우리가 나아가야 할 방향을 알아본다.

모노폴 안테나를 직각으로 꺽어 변형시킨 역 L 형 안테나는 수직부와 수평부의 길이 비에 따라 입력임피던스의 변화가 크기 때문에 정합 문제가 발생하게 된다. 본 논문에서는 수직부와 수평부의 길이 비에 따라 임피던스의 변화를 해석하고, 급전부 인접 접지면상에 부분적으로 페라이트 박막을 부가하여 임피던스의 조절이 가능함을 확인할 수 있었다. 페라이트의 재질특성(유전율, 투자율, 도전율)이 주어졌을 때, 호형 페라이트 필름구조(두께, 반경 등)의 변화에 따른 임피던스 변화를 역 L 안테나 모형에 적용함으로써 휴대폰 내장형 안테나 설계 시 최적 정합이 이루어질 수 있도록 FDTD 수치해석 방법을 사용하였다.