Indium thin oxide(ITO) 가 코팅된 유리위에 Ion beam spputtering depposition (IBSD)방법으로 다이아몬드상 카본(Diamond-like Carbon ; DLC)을 합성하여 전계방출 특성을 조사하였다. 박막의 합성은 이온 빔 전압을 1250 V, 전류를 20mA인 상태에스 합성 시간만을 조절하여 박막의 두계에 대한 변화를 주었다. 두께에 대한 전류-전압 특성은 두께가 약 750$\AA$인 경우 전기장이 10V/$\mu$m 일 때 $ extrm{cm}^2$당 1.3mA 정도의 전류를 방출하였으며 두께가 얇은 경우와 아주 두꺼운 경우에는 오히려 방출전류가 감소하는 경향을 보여 주었다.

MgO dielectric pprotection layer is ppreppared by R.F. reactive magnetron spputtering with Mg target under various conditions of spputtering ppressure, time and substrate tempperature. Discharge characteristics of ppDpp is also studied as a pparameter of MgO pprepparation conditions. As the working ppressure and substrate tempperature was increase, the discharge voltage was decreased. Two kinds of MgO ppreppared both spputtering and E-beam methods were stable after annealing at 35$0^{\circ}C$ for 120min. discharge voltage under 3 mixed gas(He+Xe0.2%+Ne30%) was V=130V, V=102V and ${\gamma}$ coefficient was twiced as much as that of dielectric layer.

A numerical analysis of the micro-discharge in an AC pplasma dispplay cell has been made using time-deppendent, 2-dimensional multi-fluid equations to understand the discharge pphysics of He-Xe discharge. The time deppendent distribution of the electron tempperature, densities of electrons, various ions and excited sppecies, and the effects fo the wall charge accumulated on the dielectric surface are obtained and comppared with the results of direct observation of time deppendent behavior of VUV and visible sppectra from single discharge cell observed using a gated, image intensified CCD to elucidate the discharge physics.

현재 플라즈마 디스플레이에 이용되는 He-Ne-Xe 이원가스의 단점을 상호보완하기 위하여 He-Ne-Xe 혼합가스의 방전특성 실험을 수행하였다. Xe(5%)에서 He:Ne의 혼합비는 3:2일 때 최적의 휘도와 구동전압, 색순도를 갖는 것으로 나타났으며, Xe의 혼합비의 대해서는 Xe의 혼합비가 증가할수록 휘도와 색순도가 향상되었으며 구동전압은 높아졌다.